HGT1S20N36G3VL

HGT1S20N36, HGT1S20N36G3VL

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрHGT1S20N36G3VL
Корпус мікросхеми
Корпус
I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<37.7 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<395 В
Потужність
P
<150 Вт
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Тип входу IGBT
Вхід
Logic
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<1.9 ВVge, Ic = 5V, 20A