HGT1S14N36

HGT1S14N36, HGT1S14N36G3VLS, HGT1S14N36G3VLT

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрHGT1S14N36G3VLSHGT1S14N36G3VLT
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
ПоверхневийКрізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<18 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<390 В
Потужність
P
<100 Вт
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Тип входу IGBT
Вхід
Logic
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.2 ВVge, Ic = 5V, 14A