На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | HGT1N30N60A4D | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-227 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <96 А |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <600 В |
Потужність | P | <255 Вт |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт |
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <2.7 ВVge, Ic = 15V, 30A |