GT8G134

GT8G134, GT8G134(TE12L,Q)

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрGT8G134(TE12L,Q)
Корпус мікросхеми
Корпус
8-TSSOP
Виробник
Виробник
Toshiba
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<400 В
Потужність
P
<600 мВт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<3.4 ВVge, Ic = 2.5V, 150A