GT60N321(Q)

GT60N321, GT60N321(Q)

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрGT60N321(Q)
Виробник
Виробник
Toshiba
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<60 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<1 кВ
Потужність
P
<170 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.8 ВVge, Ic = 15V, 60A