На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | GT10G131(TE12L,Q) | |
|---|---|---|
Виробник | Виробник | Toshiba |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <400 В |
Потужність | P | <1 Вт |
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт |
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <2.3 ВVge, Ic = 4V, 200A |