На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | GA600GD25S | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | INT-A-PAK (3 + 4) |
Виробник | Виробник | Vishay/Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <600 А |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <250 В |
Потужність | P | <1.92 кВт |
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт |
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <1.4 ВVge, Ic = 15V, 600A |