На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FGB30N6S2 | FGB30N6S2D | FGB30N6S2DT | FGB30N6S2T | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <45 А | |||
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <600 В | |||
Потужність | P | <167 Вт | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт | |||
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 12A | |||