APTGT50DA170

APTGT50DA170, APTGT50DA170D1G, APTGT50DA170T1G, APTGT50DA170TG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрAPTGT50DA170D1GAPTGT50DA170T1GAPTGT50DA170TG
Корпус мікросхеми
Корпус
МодульSP1 ModuleSP4 Module
Виробник
Виробник
Microsemi-PPG
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<70 А<75 А<75 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<1.7 кВ
Потужність
P
<310 Вт<312 Вт<312 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.4 ВVge, Ic = 15V, 50A