APTGT30SK170T1G

APTGT30SK170, APTGT30SK170D1G, APTGT30SK170T1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрAPTGT30SK170D1GAPTGT30SK170T1G
Корпус мікросхеми
Корпус
МодульSP1 Module
Виробник
Виробник
Microsemi-PPG
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<45 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<1.7 кВ
Потужність
P
<210 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.4 ВVge, Ic = 15V, 30A