APTGT200SK120

APTGT200SK120, APTGT200SK120D3G, APTGT200SK120G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрAPTGT200SK120D3GAPTGT200SK120G
Корпус мікросхеми
Корпус
МодульSP6
Виробник
Виробник
Microsemi-PPG
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<300 А<280 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Потужність
P
<1.05 кВт<890 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.1 ВVge, Ic = 15V, 200A