На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | APT80GP60B2G | APT80GP60J | APT80GP60JDQ3 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | T-MAX | ISOTOP | ISOTOP |
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | На шасі/провід | На шасі/провід |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 А | <151 А | <151 А |
Напруга колектор-емітер транзистора | UCE | <600 В | ||
Потужність | P | <1.041 кВт | <462 Вт | <462 Вт |
Тип входу IGBT | Вхід | Стандарт | ||
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення | VCE(ON) | <2.7 ВVge, Ic = 15V, 80A | ||
Серія IGBT | Серія | POWER MOS 7® | ||