APT65GP60B2G

APT65GP60, APT65GP60B2G, APT65GP60J, APT65GP60JDQ2, APT65GP60L2DQ2G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрAPT65GP60B2GAPT65GP60JAPT65GP60JDQ2APT65GP60L2DQ2G
Корпус мікросхеми
Корпус
T-MAXISOTOPISOTOPTO-264
Виробник
Виробник
Microsemi-PPG
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірНа шасі/провідНа шасі/провідКрізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 А<130 А<130 А<198 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<600 В
Потужність
P
<833 Вт<431 Вт<431 Вт<833 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<2.7 ВVge, Ic = 15V, 65A
Серія IGBT
Серія
POWER MOS 7®