APT100GT120JRDQ4

APT100GT120, APT100GT120JRDL, APT100GT120JRDQ4, APT100GT120JU2, APT100GT120JU3

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрAPT100GT120JRDLAPT100GT120JRDQ4APT100GT120JU2APT100GT120JU3
Корпус мікросхеми
Корпус
ISOTOP
Виробник
Виробник
Microsemi-PPG
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<123 А<123 А<140 А<140 А
Напруга колектор-емітер транзистора
UCE
<1.2 кВ
Потужність
P
<570 Вт<570 Вт<480 Вт<480 Вт
Тип входу IGBT
Вхід
Стандарт
Напруга між колектором та емітером, що необхідна для включення
VCE(ON)
<3.7 ВVge, Ic = 15V, 100A<3.7 ВVge, Ic = 15V, 100A<2.1 ВVge, Ic = 15V, 100A<2.1 ВVge, Ic = 15V, 100A
Серія IGBT
Серія
(не задано)Thunderbolt IGBT®(не задано)(не задано)