VRF152

VRF152

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрVRF152
Корпус мікросхеми
Корпус
M174
Виробник
Виробник
Microsemi-PPG
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
130 В
Постійний струм стоку
IDSS
20 А
Технологія виготовлення польового транзистора
Технологія
MOSFET
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
30 МГц
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
P1dB
P1dB
150 Вт
Коефіцієнт підсилення
KdB
22 дБ