На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | TGF4250-SCC | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Die |
Виробник | Виробник | Triquint Semiconductor Inc |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 12 В |
Постійний струм стоку | IDSS | 1.18 А |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | HFET |
Частота | f | 8.5 ГГц |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 8.5 дБ |