На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | TGF4112 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Die |
Виробник | Виробник | Triquint Semiconductor Inc |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 12 В |
Постійний струм стоку | IDSS | 2.94 А |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | HFET |
Частота | f | 2.3 ГГц |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | |
P1dB | P1dB | 6 Вт |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 12.7 дБ |