На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | TGF2021-01 | TGF2021-02 | TGF2021-04 | TGF2021-08 | TGF2021-12 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Die | ||||
Виробник | Виробник | Triquint Semiconductor Inc | ||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 12.5 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | 470 мА | 940 мА | 1.8 А | 3.8 А | 5.6 А |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | pHEMT FET | ||||
Частота | f | 10 ГГц | ||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | |||||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 11 дБ | ||||