SD56150

SD56150

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSD56150
Корпус мікросхеми
Корпус
M252
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
65 В
Постійний струм стоку
IDSS
17 А
Технологія виготовлення польового транзистора
Технологія
LDMOS
Частота
f
860 МГц
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
P1dB
P1dB
150 Вт
Коефіцієнт підсилення
KdB
16.5 дБ