SD2932B

SD2932, SD2932B

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSD2932B
Корпус мікросхеми
Корпус
M244
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
125 В
Постійний струм стоку
IDSS
40 А
Технологія виготовлення польового транзистора
Технологія
MOSFET
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
175 МГц
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
P1dB
P1dB
300 Вт
Коефіцієнт підсилення
KdB
16 дБ