На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PTFA181001EV4 | PTFA181001EV4R250 | PTFA181001FV4 | PTFA181001FV4R250 | PTFA181001GLV1 | PTFA181001GLV1R250 | PTFA181001HLV1 | PTFA181001HLV1R250 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 65 В | |||||||
Постійний струм стоку | IDSS | 10 мкА | |||||||
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | LDMOS | |||||||
Частота | f | 1.85 ГГц | |||||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | ||||||||
P1dB | P1dB | 100 Вт | |||||||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 16.5 дБ | |||||||