На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PTFA041501GLV1 | PTFA041501GLV1R250 | PTFA041501HLV1 | PTFA041501HLV1R250 | |
|---|---|---|---|---|---|
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 65 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | 1 мкА | |||
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | LDMOS | |||
Частота | f | 470 МГц | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | ||||
P1dB | P1dB | 150 Вт | |||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 21 дБ | |||