На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PTF210101MV1 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 10-TSSOP |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 65 В |
Постійний струм стоку | IDSS | 1 мкА |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | LDMOS |
Частота | f | 2.17 ГГц |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | |
Серія MOSFET | Серія | GOLDMOS® |
P1dB | P1dB | 10 Вт |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 15 дБ |