На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PD57006-E | PD57006S | PD57006S-E | PD57006STR-E | PD57006TR-E | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | ||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 65 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | 1 А | ||||
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | LDMOS | ||||
Частота | f | 945 МГц | ||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | |||||
P1dB | P1dB | 6 Вт | ||||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 15 дБ | ||||