На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PD55025-E | PD55025S-E | PD55025STR-E | PD55025TR-E | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 40 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | 7 А | |||
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | LDMOS | |||
Частота | f | 500 МГц | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | ||||
P1dB | P1dB | 25 Вт | |||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 14.5 дБ | |||