На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PD55003-E | PD55003L-E | PD55003S | PD55003S-E | PD55003STR-E | PD55003TR-E | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerFLAT™ (5 x 5) | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | |||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 40 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | 2.5 А | |||||
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | LDMOS | |||||
Частота | f | 500 МГц | |||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | ||||||
P1dB | P1dB | 3 Вт | |||||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 17 дБ | 19 дБ | 17 дБ | 17 дБ | 17 дБ | 17 дБ |