На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PD54003-E | PD54003L-E | PD54003S-E | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerFLAT™ (5 x 5) | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 25 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | 4 А | ||
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | LDMOS | ||
Частота | f | 500 МГц | ||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | |||
P1dB | P1dB | 3 Вт | ||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 12 дБ | 20 дБ | 12 дБ |