NE6510179

NE6510179, NE6510179A-A, NE6510179A-T1-A

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNE6510179A-ANE6510179A-T1-A
Корпус мікросхеми
Корпус
79A
Виробник
Виробник
NEC
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
8 В
Постійний струм стоку
IDSS
2.8 А
Технологія виготовлення польового транзистора
Технологія
HFET
Частота
f
1.9 ГГц
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
Коефіцієнт підсилення
KdB
10 дБ