На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NE552R479A-A | NE552R479A-T1-A | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 79A | |
Виробник | Виробник | NEC | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 15 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | 300 мА | |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | MOSFET | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Частота | f | 2.45 ГГц | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | ||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 11 дБ | |