На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MRFG35030R5 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | HF-600 |
Виробник | Виробник | Freescale Semiconductor |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 15 В |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | pHEMT FET |
Частота | f | 3.55 ГГц |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | |
P1dB | P1dB | 30 Вт |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 12 дБ |