На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MRFG35005MR5 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PLD-1.5 |
Виробник | Виробник | Freescale Semiconductor |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 15 В |
Постійний струм стоку | IDSS | 1.7 А |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | pHEMT FET |
Частота | f | 3.55 ГГц |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | |
P1dB | P1dB | 4.5 Вт |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 11 дБ |