На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MRFE6S9200HR3 | MRFE6S9200HR5 | MRFE6S9200HSR3 | MRFE6S9200HSR5 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | NI-880 | NI-880 | NI-880S | NI-880S |
Виробник | Виробник | Freescale Semiconductor | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 66 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | 10 мкА | |||
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | MOSFET | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Частота | f | 880 МГц | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | ||||
P1dB | P1dB | 58 Вт | |||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 21 дБ | |||