MRF7S19170HR3

MRF7S19170, MRF7S19170HR3, MRF7S19170HR5, MRF7S19170HSR3, MRF7S19170HSR5

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMRF7S19170HR3MRF7S19170HR5MRF7S19170HSR3MRF7S19170HSR5
Корпус мікросхеми
Корпус
NI-880NI-880NI-880SNI-880S
Виробник
Виробник
Freescale Semiconductor
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
65 В
Постійний струм стоку
IDSS
10 мкА
Технологія виготовлення польового транзистора
Технологія
MOSFET
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
1.93 ГГц
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
P1dB
P1dB
50 Вт
Коефіцієнт підсилення
KdB
17.2 дБ