На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MRF7S18125AHR3 | MRF7S18125AHR5 | MRF7S18125AHSR3 | MRF7S18125AHSR5 | MRF7S18125BHR3 | MRF7S18125BHR5 | MRF7S18125BHSR3 | MRF7S18125BHSR5 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | NI-780 | NI-780 | NI-780S | NI-780S | NI-780 | NI-780 | NI-780 | NI-780 |
Виробник | Виробник | Freescale Semiconductor | |||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 65 В | |||||||
Постійний струм стоку | IDSS | 10 мкА | |||||||
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | MOSFET | |||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||||
Частота | f | 1.88 ГГц | 1.88 ГГц | 1.88 ГГц | 1.88 ГГц | 1.93 ГГц | 1.93 ГГц | 1.93 ГГц | 1.93 ГГц |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | ||||||||
P1dB | P1dB | 125 Вт | |||||||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 17 дБ | 17 дБ | 17 дБ | 17 дБ | 16.5 дБ | 16.5 дБ | 16.5 дБ | 16.5 дБ |