MRF6V4300NBR1

MRF6V4300, MRF6V4300NBR1, MRF6V4300NBR5, MRF6V4300NR1, MRF6V4300NR5

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMRF6V4300NBR1MRF6V4300NBR5MRF6V4300NR1MRF6V4300NR5
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-270-4TO-272-4TO-270-4TO-270-4
Виробник
Виробник
Freescale Semiconductor
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
110 В
Постійний струм стоку
IDSS
2.5 мА
Технологія виготовлення польового транзистора
Технологія
MOSFET
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
450 МГц
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
P1dB
P1dB
300 Вт
Коефіцієнт підсилення
KdB
22 дБ