MRF6V2300

MRF6V2300, MRF6V2300NBR1, MRF6V2300NBR5, MRF6V2300NR1, MRF6V2300NR5

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMRF6V2300NBR1MRF6V2300NBR5MRF6V2300NR1MRF6V2300NR5
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-272-4TO-272-4TO-270-4TO-270-4
Виробник
Виробник
Freescale Semiconductor
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
110 В
Постійний струм стоку
IDSS
2.5 мА
Технологія виготовлення польового транзистора
Технологія
MOSFET
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
220 МГц
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
P1dB
P1dB
300 Вт
Коефіцієнт підсилення
KdB
25.5 дБ