На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MRF6V10010NR4 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PLD-1.5 |
Виробник | Виробник | Freescale Semiconductor |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 100 В |
Постійний струм стоку | IDSS | 2.5 мА |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | MOSFET |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Частота | f | 1.09 ГГц |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | |
P1dB | P1dB | 10 Вт |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 25 дБ |