На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MRF6S23100HR3 | MRF6S23100HR5 | MRF6S23100HSR3 | MRF6S23100HSR5 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | NI-780 | NI-780 | NI-780S | NI-780S |
Виробник | Виробник | Freescale Semiconductor | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 68 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | 10 мкА | |||
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | MOSFET | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Частота | f | 2.3 ГГц | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | ||||
P1dB | P1dB | 20 Вт | |||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 15.4 дБ | |||