На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MRF6S19100GNR1 | MRF6S19100HR3 | MRF6S19100HR5 | MRF6S19100HSR3 | MRF6S19100HSR5 | MRF6S19100MBR1 | MRF6S19100MR1 | MRF6S19100NBR1 | MRF6S19100NR1 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-270-2 Gull Wing | NI-780 | NI-780 | NI-780S | NI-780S | TO-272-4 | TO-270-4 | TO-272-4 | TO-270-4 |
Виробник | Виробник | Freescale Semiconductor | ||||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | (не задано) | 68 В | 68 В | 68 В | 68 В | 68 В | 68 В | 68 В | 68 В |
Постійний струм стоку | IDSS | (не задано) | 10 мкА | 10 мкА | 10 мкА | 10 мкА | 10 мкА | 10 мкА | 10 мкА | 10 мкА |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | MOSFET | ||||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||||
Частота | f | (не задано) | 1.99 ГГц | 1.99 ГГц | 1.99 ГГц | 1.99 ГГц | 1.99 ГГц | 1.99 ГГц | 1.99 ГГц | 1.99 ГГц |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | |||||||||
P1dB | P1dB | (не задано) | 22 Вт | 22 Вт | 22 Вт | 22 Вт | 22 Вт | 22 Вт | 22 Вт | 22 Вт |
Коефіцієнт підсилення | KdB | (не задано) | 16.1 дБ | 16.1 дБ | 16.1 дБ | 16.1 дБ | 14.5 дБ | 14.5 дБ | 14.5 дБ | 14.5 дБ |