На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MRF5S9100MBR1 | MRF5S9100MR1 | MRF5S9100NBR1 | MRF5S9100NR1 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-272-4 | TO-270-4 | TO-272-4 | TO-270-4 |
Виробник | Виробник | Freescale Semiconductor | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 68 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | 10 мкА | |||
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | MOSFET | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Частота | f | 880 МГц | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | ||||
P1dB | P1dB | 20 Вт | |||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 19.5 дБ | |||