На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MRF282SR1 | MRF282ZR1 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | NI-200S | NI-200Z |
Виробник | Виробник | Freescale Semiconductor | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 65 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | 1 мкА | |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | MOSFET | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Частота | f | 2 ГГц | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | ||
P1dB | P1dB | 10 Вт | |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 11.5 дБ | |