MRF19125R5

MRF19125, MRF19125R3, MRF19125R5

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMRF19125R3MRF19125R5
Корпус мікросхеми
Корпус
NI-880
Виробник
Виробник
Freescale Semiconductor
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
65 В
Постійний струм стоку
IDSS
10 мкА
Технологія виготовлення польового транзистора
Технологія
MOSFET
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
1.93 ГГц
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
P1dB
P1dB
24 Вт
Коефіцієнт підсилення
KdB
13.5 дБ