CGH40035

CGH40035, CGH40035F

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрCGH40035F
Корпус мікросхеми
Корпус
440193
Виробник
Виробник
Cree Inc
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
84 В
Постійний струм стоку
IDSS
10.5 А
Технологія виготовлення польового транзистора
Технологія
HEMT
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
3.5 ГГц
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
P1dB
P1dB
45 Вт
Коефіцієнт підсилення
KdB
14 дБ