На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BLF878,112 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 5-LDMOST |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 89 В |
Постійний струм стоку | IDSS | 1.4 мкА |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | LDMOS |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Частота | f | 860 МГц |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | |
P1dB | P1dB | 300 Вт |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 18 дБ |