На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BLF6G38-100,112 | BLF6G38-10,112 | BLF6G38-10,118 | BLF6G38-10G,112 | BLF6G38-10G,118 | BLF6G38-25,112 | BLF6G38-50,112 | BLF6G38LS-100,112 | BLF6G38LS-50,112 | BLF6G38S-25,112 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 2-LDMOST, SOT502A | 2-LDMOST, SOT957A | 2-LDMOST, SOT957A | 2-LDMOST, SOT957A | 2-LDMOST, SOT957A | SOT-608A | 2-LDMOST, SOT502A | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B | SOT-608B |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |||||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 65 В | |||||||||
Постійний струм стоку | IDSS | 34 А | 3.1 А | 3.1 А | 3.1 А | 3.1 А | 8.2 А | 16.5 А | 34 А | 16.5 А | 8.2 А |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | LDMOS | |||||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||||||
Частота | f | 3.4 ГГц | |||||||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | ||||||||||
P1dB | P1dB | 18.5 Вт | 2 Вт | 2 Вт | 2 Вт | 2 Вт | 4.5 Вт | 9 Вт | 18.5 Вт | 9 Вт | 4.5 Вт |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 13 дБ | 14 дБ | 14 дБ | 14 дБ | 14 дБ | 15 дБ | 14 дБ | 13 дБ | 14 дБ | 15 дБ |