BLF6G27-10G,112

BLF6G27, BLF6G27-10,112, BLF6G27-10G,112, BLF6G27-135,112, BLF6G27-45,112, BLF6G27-75,112, BLF6G27LS-135,112, BLF6G27LS-135,118, BLF6G27LS-75,112, BLF6G27LS-75,118, BLF6G27S-45,112

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBLF6G27-10,112BLF6G27-10G,112BLF6G27-135,112BLF6G27-45,112BLF6G27-75,112BLF6G27LS-135,112BLF6G27LS-135,118BLF6G27LS-75,112BLF6G27LS-75,118BLF6G27S-45,112
Корпус мікросхеми
Корпус
2-LDMOST, SOT957A2-LDMOST, SOT957A2-LDMOST, SOT502ASOT-608A2-LDMOST, SOT502A2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502BSOT-608B
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
65 В
Постійний струм стоку
IDSS
3.5 А3.5 А34 А20 А18 А34 А34 А18 А18 А20 А
Технологія виготовлення польового транзистора
Технологія
LDMOS
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
2.5 ГГц2.5 ГГц2.5 ГГц2.7 ГГц2.5 ГГц2.5 ГГц2.5 ГГц2.5 ГГц2.5 ГГц2.7 ГГц
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
P1dB
P1dB
2 Вт2 Вт20 Вт7 Вт9 Вт20 Вт20 Вт9 Вт9 Вт7 Вт
Коефіцієнт підсилення
KdB
19 дБ19 дБ16 дБ18 дБ17 дБ16 дБ16 дБ17 дБ17 дБ18 дБ