На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BLF6G22-180PN,112 | BLF6G22-180RN,112 | BLF6G22-45,112 | BLF6G22-45,135 | BLF6G22LS-100,112 | BLF6G22LS-100,118 | BLF6G22LS-130,112 | BLF6G22LS-130,118 | BLF6G22LS-180RN:11 | BLF6G22LS-75,112 | BLF6G22LS-75,118 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 5-LDMOST | 2-LDMOST, SOT502A | SOT-608A | SOT-608A | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | ||||||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 65 В | ||||||||||
Постійний струм стоку | IDSS | 5 мкА | 49 А | 1.5 мкА | 1.5 мкА | 29 А | 29 А | 34 А | 34 А | 49 А | 18 А | 18 А |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | LDMOS | ||||||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||||||
Частота | f | 2.11 ГГц | ||||||||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | |||||||||||
P1dB | P1dB | 50 Вт | 40 Вт | 2.5 Вт | 2.5 Вт | 25 Вт | 25 Вт | 30 Вт | 30 Вт | 40 Вт | 17 Вт | 17 Вт |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 17.5 дБ | 16 дБ | 18.5 дБ | 18.5 дБ | 18.5 дБ | 18.5 дБ | 17 дБ | 17 дБ | 16 дБ | 18.7 дБ | 18.7 дБ |