На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BLF6G20-110,112 | BLF6G20-180PN,112 | BLF6G20-230P | BLF6G20-45,112 | BLF6G20-45,135 | BLF6G20LS-110,112 | BLF6G20LS-110,118 | BLF6G20LS-140,112 | BLF6G20LS-140,118 | BLF6G20LS-75,112 | BLF6G20LS-75,118 | BLF6G20S-45,112 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 2-LDMOST, SOT502A | 5-LDMOST | 2-LDMOST, SOT502A | SOT-608A | SOT-608A | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B | SOT-608A |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |||||||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 65 В | |||||||||||
Постійний струм стоку | IDSS | 29 А | 5 мкА | 5 мкА | 13 А | 13 А | 29 А | 29 А | 39 А | 39 А | 18 А | 18 А | 13 А |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | LDMOS | |||||||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||||||||
Частота | f | 1.93 ГГц | 1.8 ГГц | 1.8 ГГц | 1.8 ГГц | 1.8 ГГц | 1.93 ГГц | 1.93 ГГц | 1.93 ГГц | 1.93 ГГц | 1.93 ГГц | 1.93 ГГц | 1.8 ГГц |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | ||||||||||||
P1dB | P1dB | 25 Вт | 50 Вт | 50 Вт | 2.5 Вт | 2.5 Вт | 25 Вт | 25 Вт | 35.5 Вт | 35.5 Вт | 29.5 Вт | 29.5 Вт | 2.5 Вт |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 19 дБ | 18 дБ | 16.5 дБ | 19.2 дБ | 19.2 дБ | 19 дБ | 19 дБ | 16.5 дБ | 16.5 дБ | 19 дБ | 19 дБ | 19.2 дБ |