BLF6G10

BLF6G10, BLF6G10-135RN,112, BLF6G10-160RN,112, BLF6G10-200RN,112, BLF6G10-45,112, BLF6G10-45,135, BLF6G10LS-135R,112, BLF6G10LS-135R,118, BLF6G10LS-135RN:11, BLF6G10LS-160,112, BLF6G10LS-160,118, BLF6G10LS-160RN,11, BLF6G10LS-200,112, BLF6G10LS-200,118, BLF6G10LS-200R,112, BLF6G10LS-200R,118, BLF6G10LS-200RN:11, BLF6G10S-45,112

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBLF6G10-135RN,112BLF6G10-160RN,112BLF6G10-200RN,112BLF6G10-45,112BLF6G10-45,135BLF6G10LS-135R,112BLF6G10LS-135R,118BLF6G10LS-135RN:11BLF6G10LS-160,112BLF6G10LS-160,118BLF6G10LS-160RN,11BLF6G10LS-200,112BLF6G10LS-200,118BLF6G10LS-200R,112BLF6G10LS-200R,118BLF6G10LS-200RN:11BLF6G10S-45,112
Корпус мікросхеми
Корпус
2-LDMOST, SOT502A2-LDMOST, SOT502A2-LDMOST, SOT502ASOT-608ASOT-608A2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502BSOT-608B
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
65 В65 В65 В65 В65 В65 В65 В65 В(не задано)(не задано)65 В65 В65 В65 В65 В65 В65 В
Постійний струм стоку
IDSS
32 А39 А49 А13 А13 А32 А32 А32 А(не задано)(не задано)39 А49 А49 А49 А49 А49 А13 А
Технологія виготовлення польового транзистора
Технологія
LDMOS
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
871.5 МГц922.5 МГц871.5 МГц922.5 МГц922.5 МГц871.5 МГц871.5 МГц871.5 МГц1 ГГц1 ГГц922.5 МГц871.5 МГц871.5 МГц871.5 МГц871.5 МГц871.5 МГц922.5 МГц
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
P1dB
P1dB
26.5 Вт32 Вт40 Вт1 Вт1 Вт26.5 Вт26.5 Вт26.5 Вт(не задано)(не задано)32 Вт40 Вт40 Вт40 Вт40 Вт40 Вт1 Вт
Коефіцієнт підсилення
KdB
21 дБ22.5 дБ20 дБ22.5 дБ22.5 дБ21 дБ21 дБ21 дБ28 дБ28 дБ22.5 дБ20.2 дБ20.2 дБ20 дБ20 дБ20 дБ23 дБ