BLF246B,112

BLF246, BLF246B,112

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBLF246B,112
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-161A
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
65 В
Постійний струм стоку
IDSS
8 А
Технологія виготовлення польового транзистора
Технологія
MOSFET
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
175 МГц
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2
P1dB
P1dB
60 Вт
Коефіцієнт підсилення
KdB
19 дБ